SK 海力士：内存 EUV 光刻成本快速增长，考虑转向 4F2、3D DRAM

uptrs">IT之家 8 月 13 日消息，海力据韩媒 THE ELEC 报道，士内SK 海力士研究员 Seo Jae-Wook 在韩国水原当地时间 12 日举行的存E成本学术会议上表示，未来考虑转向 4F2 或 3D 结构的光刻 DRAM 内存，以降低成本压力。快速考虑Seo Jae-Wook 表示：从 1c DRAM 开始，增长转EUV 光刻成本迅速增加，海力现在是士内时候考虑以这种方式制造 DRAM 是否有利可图了。 （SK 海力士）也在考虑是存E成本否应该从下一代产品开始转向 VG（IT之家注：即垂直栅极，Vertical Gate）或 3D DRAM。光刻Seo Jae-Wook 此处提到的快速考虑 VG DRAM 即 4F2 DRAM，三星电子称其为 VCT（垂直通道晶体管）DRAM，增长转是海力一种垂直构建单元结构的新型内存。▲ 三星电子此前展示的士内 VCT DRAM 结构4F2 DRAM 的源极、栅极、存E成本漏极和电容从下到上放置，字线和位线分别连接到栅极和源极，相较现有的 6F2DRAM 可减少约 30% 芯片面积。Seo Jae-Wook 预计 VG DRAM 将在 0a nm 节点后量产。三星电子、SK 海力士、美光三大原厂采用 EUV 光刻的 1c nm DRAM 即将在 2024~2025 年推出。而从下代 1d nm 节点开始，先进内存将使用 EUV 多重曝光，大幅提升生产流程中 EUV 光刻环节的成本。Seo Jae-Wook 表示，利用 VG 或 3D DRAM 结构，能将内存的 EUV 光刻成本降至传统 6F2 DRAM的一半以下。其中对于 VG DRAM，可再维持 1~2 代工艺的低光刻成本，但在那之后 EUV 成本将回归急剧上升轨道；而 3D DRAM 路线则需要对沉积与蚀刻设备进行大规模投资。